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Comparison of Raised and Schottky Source/Drain MOSFETs Using a Novel Tunneling Contact Model

机译：用新型隧道接触模型比较凸起和肖特基源极/漏极mOsFET

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Meikei Ieong; Paul M. Solomon; S. E. Laux; Hon-sum Philip Wong; Dureseti Chidambarrao;
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年度 1998
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